RCD 的計算結果為何與實驗參數出入很大

RCD 的計算結果為何與實驗參數出入很大

不時有網友提到 RCD 的計算問題。有關 RCD 的計算和實驗的帖子在壇子里也很有人氣。

其中老梁頭關于反激RCD的實驗 中的介紹很詳實,是很有價值的一手實驗數據。讀過帖子之后,給人感覺好像自己親手做了個實驗,受益匪淺。然而,帖子中計算的 RCD 數值和實驗得到的參數并不一樣(老梁在帖子中的計算過程正確、結果有誤)。相信很多網友都有這樣的體會 - 就是計算出的電阻 Rsn 比實際實驗得到的數值要小很多。大家有沒有興趣討論一下 ~

(本圖摘自Fairchild AN-4147)?RCD 的計算結果為何與實驗參數出入很大

下面介紹一下本人在實驗過程中發現的 3個原因 ~

1. 漏感測量的誤差大 - 由于儀器和測試的問題導致漏感測量的誤差可以很大(尤其是體積小變壓器),通常是測得的漏感偏大。導致計算結果的不準確(電阻偏小)。

2. RCD計算公式中忽略了二極管Dsn的正向導通延遲時間和開關損耗,假設所有漏感引起的功耗都消耗在了電阻 Rsn 上,使得計算出的電阻數值偏小。

3. 計算公式忽略了漏感對?MOS管輸出電容 Coss 的充電,而這一部分的能量是不能忽略不計的。

看到有網友不太清楚 Rsn 計算公式的推導,順便在這兒推導一下 ~

RCD 的計算結果為何與實驗參數出入很大

RCD 的計算結果為何與實驗參數出入很大

1. 當MOS管關斷時,初級電流達到了最大值 Ipeak。電壓Vds 迅速上升至A點,漏感 Llk上的能量開始對Csn沖電。
2. Csn上的電壓在整個過程中幾乎不變,其大小是Vsn。
3. 由于此時次級的整流管已經導通,次級圈上的電壓被鉗制到輸出電壓 Vo。反射電壓 Vor (或者寫成 nVo) 在初級建立。
4. 漏感對 Csn 放電時,漏感上的電壓被鉗制到 Vsn - Vor。
5. 漏感上的電流變化為

RCD 的計算結果為何與實驗參數出入很大

6. 在漏感對Csn充電的過程 ts 中,漏感兩端的電壓始終是 Vsn - Vor。
7. 充電電流 isn 由初始值 Ipeak 一路線性下降到 0,此時漏感上的能量全部釋放掉了。

RCD 的計算結果為何與實驗參數出入很大

8. 由于電流 isn 的變化是線性的,可以用幾何的方法計算出 Csn 在一個周期里充電的總能量是

RCD 的計算結果為何與實驗參數出入很大

9. RCD 線路消耗的功率是

RCD 的計算結果為何與實驗參數出入很大

RCD 的計算結果為何與實驗參數出入很大?得到下面的公式

RCD 的計算結果為何與實驗參數出入很大

 

10. 假設 Csn 在放電的過程中,兩端電壓變化不大,其值為Vsn。則Rsn近似為

RCD 的計算結果為何與實驗參數出入很大

avatar

發表評論

:?: :razz: :sad: :evil: :!: :smile: :oops: :grin: :eek: :shock: :???: :cool: :lol: :mad: :twisted: :roll: :wink: :idea: :arrow: :neutral: :cry: :mrgreen: